一般用在单晶硅和多晶硅光伏(PV)面板的旁路二极管中，在出现低分流和高分流阻抗时，保护过热点的光伏电池(参考图1)。
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这些安装在数据中心服务器内其貌不扬的芯片，一直在不断发展，组成芯片的光学技术也在不断进步。硅光电子技术，使用硅半导体作为光信号介质，传输数字信号比传统电子半导体装置快得多。
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本发明公开了一种晶体硅光伏组件封装用背板，用于封装背板引出电极晶体硅光伏电池，该光伏组件的封装背板包括背板基板层和由金属铝代替金属铜组成的连接电路层，为了改善背板的性能，在连接电路层的外层可以设有绝缘层，绝缘层上开有电连接点窗口。
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本发明非晶硅光电池片及其制造法，特别涉及一种外联式集成小型片光电池及应用激光技术的制造方法.其产品特征在于光电池片的每个单元电池的透明导电腕图形是相同的.目的在于使用激光法制取透明导电膜集成图形.其方法特征在于将先进的激光切割技术应用于透明导电膜和非晶硅层集成图形加工以代替工艺复杂的光刻法和掩膜法.
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晶体硅光伏电池设备。
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基于硅光子的片上光互连技术研究
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硅光子学 基础与器件
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主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展，分析了其结构及技术参数，随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术，指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤通信系统的要求。
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硅光子技术初探
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“光伏发电”是将太阳光能直接转换为电能的一种发电形式。1839年，法国科学家贝克勒尔(A．E．Becqure1)首先发现了“光生伏打效应”。然而，第一个实用单晶硅光伏电池(Solar Cel1)直到一个多世纪后的1954年才在美国贝尔实验室研制成功。
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瞄准芯片间光传输的部件试制也已经展开。由日本内阁府提供支援的研究开发组织“光电子融合系统基础技术开发（PECST）”试制的光收发器IC注3） 达到了目前世界最高的集成度和传输容量密度。PECST于2012年9月发布了可在1cm2 的硅芯片上、集成526个数据传输速度为12.5Gbps的光收发器的技术注4 ），数据传输容量密度相当于约6.6Tbit/秒/cm2 。
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硅光子剩下的最大课题就是发光元件。此前开发的光收发器的发光元件都无法与硅和CMOS兼容，因此要粘贴采用化合物半导体的发光元件。实现与CMOS兼容的发光元件可以说是硅光子技术的“夙愿”。
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关于在硅晶圆上实现光传输的“硅光子”技术，其实用化和研发的推进速度都超过了预期。其中，日本的进展尤其显著。日本在高密度集成技术和调制器等的小型化方面世界领先，在CMOS兼容发光技术和光子结晶的开发方面的成果也震撼全球。硅光子技术的应用范围有望从目前的主要用途——电路板间的数据传输扩大到芯片间和芯片内的传输。预计这方面的应用将在2020年前后实现实用化。
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我国有丰富的太阳能资滋.太阳能光伏发电己不再仅仅用于小功率电源系统. 也广泛用于通信、交通、石油、农村电气化、民川产品等各个A域.1998年我国生产的太阳能光伏发电系统的L要部件—光伏组件产欣只有2MW,左右·仅相当于世界总产反的1.3%.到2002年产最己达到100M
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肖特基势垒整流器一般用在单晶硅和多晶硅光伏（PV）电池板的旁路二极管中，在热点出现低分流阻抗和高分流阻抗的情况下保护光伏电池（参见文档中图1）。在旁路应用中，肖特基整流器具有低正向压降的优点，而且比普通P-N结整流器的功率耗散更小。然而，这种器件的缺点是反向电压击穿特性较低，很容易因ESD（静电放电）的电过应力（EOS）和感应的高电压而损坏..
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